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尽管国内公司在处理器芯片领域取得了不俗成绩，但在半导体制造领域，中国公司短时间内还是很难跟Intel、三星、TSMC台积电等巨头相比，工艺技术至少差了两代。中芯国际（SMIC）日前宣布他们开发的28nm HKMG高性能工艺已经成功流片，将为联芯科技的4G芯片代工。
中芯国际是另一位台湾晶圆代工业教父级人物张汝京在大陆创立的本土代工企业，此前已经使用28nm多晶硅（PolySiON）工艺为高通代工骁龙410处理器，现在推出的28nm HKMG（高介电常数金属闸极）工艺属于高性能工艺，通过使用高介电常数材料，HKMG工艺能有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。 中芯国际的28nm HKMG工艺已经通过了验证，正准备量产。目前已经用于联芯的4G芯片流片，虽然具体型号没提，不过通告中提到这款芯片速度达到了1.6GHz。 中芯国际CEO及执行董事邱慈云博士表示，中芯国际还将持续对28nm工艺进行改良，预计今年底推出基于HKMG工艺的紧凑加强版，为客户提供更多选择。 话说回来，尽管28nm还会长期存在，不过这种工艺相比TMSC、三星的16/14nm FinFET工艺已经落后了两代，中芯国际也在开发自己的14nm FinFET工艺，去年比利时国王访华时，中芯国际、高通、华为及比利时微电子中心联合签署了合作协议，联合开发14nm FinFET工艺，但量产时间有可能到2020年，依然会比国际主流工艺落后一点。
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