关于显示器维修零件代用的几点建议

电容代换规则：l        
同类型、同型号、电器参数相似、不同厂家制造的可以相互代用l               
1.对于低频退耦滤波电容用：同容量、同耐压、同温度等级或高容量、高耐压、高一等级温度的电容代替。（只能以高代低,不能以低代高,例

如可以用105度的电解电容代替85度同容量的电解电容）2.对于开关电源的滤波电容要用同型号、同规格、同耐压级或高频性能及规格相似、耐

压、温度比原来高的电容代替。对于材料为铝电解电容和钽氧化膜电容需要考虑电容量、耐压、温度、漏电流、允许最大纹波电流、介质损耗

角正切值,外形与尺寸.3.对于高频回路需用同型号、同容量、且高频介质损耗与分布电感相近或更好的其他类型电容代换。对于材料为陶瓷电

容、云母电容、薄膜树脂电容、聚丙乙烯电容需要考虑绝缘电阻、耐压、高频介质损耗与分布电感是否与原来的一样。

MOSFET管代换原则：
同类型、同型号、电器参数相似、不同厂家制造的可以相互代用l               
类型相同、特性相似、外型相似的、引脚排列相同的同等级或高一等级的料件可以相互代用。l        
代用料为所缺料件的在其他机种上同点位的副料，则可以相互代用l        
类型相同，特性相似，外型相似（包含封装形式、本体大小相似，引脚排列相同）。电气参数需要选择同等级或高一等级的料件初步判定可以

代用，需要进一步烤机验证。
类型相同：N沟道换N沟道、P沟道换P沟道 （注意：实际同型号，厂家不一样，标注方法不一样）外型结构相似：包含外型相似、引脚排列与本

体大小与原管一致、封装形式相同重要电器参数缩写解释如下：VDSS: 漏源击穿电压。VGS(TH):开启电压，或者叫驱动电压。RDS (on): 漏源

通态电阻.越小越好.ID:漏极电流。IDM：漏极脉冲电流。Trr:反向恢复时间。PD：漏极耗散功率。TJ:结温。VGSS:漏源短路时栅源极击穿电压

。

三极管代用规则：l        
同类型、同型号、电器参数相似、不同厂家制造的可以相互代用l        
代用料为所缺料件的在其他机种上同点位的副料，则可以相互代用l        
类型相同，特性相似，外型相似（包含封装形式、本体大小相似，引脚排列相同）。
电气参数需要选择同等级或高一等级的料件初步判定可以代用，需要进一步烤机验证。  

类型相同：包含NPN换NPN、PNP换PNP、锗管换锗管、硅管换硅管  外型结构相似：包含功率相同、外型相似、引脚排列与原管一致、封装形相

同电气参数：
一、PCM（最大耗散功率）---与原管相等或大于原管
二、ICM（集电极最大允许直流电流）----与原管相等或大于原管（注意对比测试条件）
三、击穿电压：BVcbo：集电极-基极击穿电压。它是指发射极开路，集电极电流Ic为规定值时，集电极-基极间的电压降（该电压降称为对应的

击穿电压，以下的相同）.BVceo：集电极-发射极击穿电压。它是指基极开路，集电极电流Ic为规定值时，集电极-发射极的电压降 BVebo：集

电极开路，发射极-基极的击穿电压.代换原则：同一晶体管的BVcbo＞BVceo。通常要求用于置换（代换）的晶体管，其上述三个击穿电压应不

小于原晶体管对应的三个击穿电压,对于开关晶体管需要考虑Bvebo.
四、频率特性： FT（ 特征频率）视放管重点考虑项目. 原则上不能小于原管 FB （截止频率）视放管重点考虑项目. 原则上不能小于原管.
五、饱和压降VCEO/（S）, 越小越好. 开关管需要重点考虑着一项.因为要保 证开关性能良好,必须小于或等于原管
六、 hef: 电流放大系数，简称  ß ，原则上与原管一致或范围比原管宽。（注意对比测试条件）
七、Tr/Tf：集电极电流上升时间Tr.集电极电流下降时间Tf，开关管需要重点考虑着一项.因为要保证开关性能良好,必须小于或等于原管.越小

越好，行输出管要求小于１us．
八、TJ: 结合部温度,简称结温
九、IC: 正常工作额定电流.

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