三星内存芯片的编号规则如下：
K4 X XX XX X X X - X X XX
K4 H 5 6 0 8 3 8 H - T C C C
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
1： K表示内存Memory
2： 4表示是DRAM
3： 表示内存的类型
S: SDRam
H:DDR SDRam
T:DDR2 SDRam
4-5: 表示容量，单位bits(我们通常所说的容量单位是Byte, 1Byte = 8bits,所以换算成通用容量的时候要除8 )
28:128bits
56:256bits
51:512bits
1G:1Gbits
2G:2Gbits
4G:4Gbits
6-7: 表示位数
04:4位
06:4位stack
07:8位stack
08:8位
16:16位
32:32位
8: 表示逻辑Bank数量
3:4bank
4:8bank
9: 表示接口类型
8:表示接口类型为SSTL＿2 工作电压2.5V
Q:表示接口类型SSTL 工作电压1.8V
10: 表示产品版本(代)
M: 第一代
A: 第二代
B: 第三代
C: 第四代
D: 第五代
E: 第六代
F: 第七代
G: 第八代
H: 第九代
12: 表示封装方式
T:TSOP
S:sTSOP2
G:FBGA
S:FBGA(Small)
Z:FBGA-LF
Y:FBGA-LF(Small)
13: 表示温度与能耗标准
C: 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70
L: 大众商用型能 、低通能耗工作温度0-70
I: 工业型、普通能耗 工作温度40-85
14-15: 这两位代码表示芯片频率和延迟参数
AA DDR266 2-2-2
A2 DDR266 2-3-3
BO DDR266 2.5-3-3
B3 DDR333 2.5-3-3
CC DDR400 3-3-3
C4 DDR400 3-4-4
C5 DDR466 3-4-4
D5 DDR2 533 CL=4 tRCD=4 tRP=4
D6 DDR2 667 CL=4 tRCD=4 tRP=4
E6 DDR2 667 CL=5 tRCD=5 tRP=5
E7 DDR2 800 CL=5 tRCD=5 tRP=5
F7 DDR2 800 CL=6 tRCD=6 tRP=6
现代(海力士)内存芯片的编号规则如下：
HY XX X XX X X X X X - XX
HY 5D U 56 8 2 2 D T - D43
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
1-2:前两位字母HY表示是现代内存
3-4:这两位代码表示内存型号
5D:表示是DDR内存
5P:表示是DDR2内存
5:表示工作电压
V表示VDD=3.3V，VDDQ=2.5V
U表示VDD=2.5V，VDDQ=2.5V
W表示VDD=2.5V，VDDQ=1.8V
S表示VDD=1.8V，VDDQ=1.8V
6-7:这两位代码表示容量大小，单位是bits,转换为通用容量需要除8
64表示64Mb、4K刷新
66表示64Mb、2K刷新
28表示128Mb、4K刷新
56表示256Mb、8K刷新
57表示256Mb、4K刷新
12表示512Mb、8K刷新
1G表示1Gb、8K刷新
8:表示芯片位宽
4表示X4
8表示X8
16表示X16
32表示X32
9:表示逻辑Bank的数量
1表示2bankS
2表示4BANKS
3表示8BANKS
10:表示接口类型
1表示SSTL＿3
2表示SSTL＿2
3表示SSTL＿18
11:颗粒版本
“空白”表示第一代生产
A表示第二代
B表示第三代
C表示第四代
12:能耗水准
“空白”表示大众商用型、普通能耗
L表示大众商用型、低能耗
13:封装形式
T表示TSOP
Q表示LQFP
F表示FBGA
S表示FBGA Stack
M表示FBGA DDP
FC表示FBGA（UTC：8X13mm）
14:表示堆叠封装
“空白”表示普通
S表示Hynix
K表示M&T
J表示其他
M表示MCP（Hynix）
MU表示MCP（UTC）
15:封装材料
空白 表示普通材料
P表示铅
H表示卤素
R表示铅和卤素
16:颗粒性能
D43表示DDR400（3-3-3）
D3表示DDR400（3-4-4）
J表示DDR333
M表示DDR266（2-2-2）
K表示DDR266A
H表示DDR226B
L表示DDR200
S6:DDR2 800 6-6-6
S5:DDR2 800 5-5-5
Y6:DDR2 667 6-6-6
Y5:DDR2 667 5-5-5
Y4:DDR2 667 4-4-4
C5:DDR2 533 5-5-5
C4:DDR2 533 4-4-4
C3:DDR2 533 3-3-3
E4:DDR2 400 4-4-4
E3:DDR2 400 3-3-3
17:工作需求温度
I表示工业常温 -40-85度
E扩展温度零下 -25-85度
镁光内存芯片的编号规则如下：
MT XX X XX X X X X - X
MT 4 6 V 6 4 M 4 T G - 6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
1-2:这两位字母MT表示镁光芯片
3-4:这两位代码表示内存类型
46:DDR
48:SDRam
4: Dram
6:Rambus
5:工作电压
C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS
6-7:单颗内存芯片的字数
8:表示单位
无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）
9:表示芯片位宽
4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
10-11:表示封装方式
TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60 针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA
13:芯片速率
内存颗粒速度：分为四大类 DRAM SD RAMBUS DDR
1、DRAM
-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns
2、SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟频率 @ CL3）
-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz
3、DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟频率 @ CL=2.5
-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz
4、Rambus（时钟频率）
-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns
+的含义
-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）
-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）
-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）
-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）
-8支持PC200（CL2）
-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）
-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。
14: 功耗：L=低耗，blank=普通
英飞凌内存芯片的编号规则如下：
HYB XX X XXX X X X X X - X
HYB 25 D 256 8 0 0 B T- 5
一 二 三 四
一：前缀
二： 工作电压 25=2.5v 18=1.8v 33=3.3v
三： 型号 S=SDR D=DDR T=DDR2
四： 容量 256=256M 128=128M 1G=1024M
N2 T U 512 16 A F-37B
一 二 三 四 五
一：芯片产品
二：型号
D=DDR T=DDR2
三：电压 S=2.5v V=3.3v U=1.8v
四： 容量 512=512M 1G=1G
五：位宽
NT 5D S 16M8 A T- 7K
一 二 三 四 五
一，NT 南亚科技
二：型号 5D=DDR 5T= DDR2 5S=SDRAM
三：电压
四 容量
16M8=128M 512M=128M4=64M8 1G=256M4=128M8
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IP卡
狗仔卡
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡
