MOS管导通条件

1939606303 · 发表于 2012-5-23 18:41:17

马上注册，结交更多好友，享用更多功能。

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

x

本帖最后由 1939606303 于 2012-5-28 10:01 编辑

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

wupaul · 发表于 2012-5-23 20:17:36

看来你是新手，Vgs必须>Vth才能进入饱和状态，否侧你的MOS就会很热

不在犹豫` · 发表于 2012-5-24 10:00:37

来学习的，期待高手

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

[讨论] MOS管导通条件

马上注册，结交更多好友，享用更多功能。

相关帖子