M1330波折维修

此板上电电流到0.21左右掉电。3V\5V待机正常TPS51120为待机PWM,此板BIOS不参与触发。TPS51120有供电后先产生LDO3/5，LDO3给主EC MEC5025NU供电后EC会发出ALWON（即便是EC晶振没起振，也会有ALWON发出）到TPS51120的EN脚形成TPS51120的使能信号。TPS51120得到使能后会产生待机电压。

按下开关后上电电流到0.21安左右就掉电，可证明后级电压没产生。直接找3V 转成U71发现其源极上电瞬间只有1.几V不对栅极压只有4.6V！这样的栅极电压是无法使FDS8880在漏极是3.3V情况下导通的。从图纸能看到U71其栅极是在待机状态下5V_ALW2（LDO5V)会过R532略微下拉导通复合型MOS Q61的第3脚4脚使+15V_ALW经R550下拉的电压拉没。上电瞬间3.3V_RUN_ON经EC发出使Q61的3 、4脚导通截止这样+15V_ALW经R550弱下拉的电压（正常应约为14V左右）会使U71导通形成3.3RUN。RUN_ON已经产生，测R550上端其电压只有5V不到，证明自举升压没有 完成。

7 E& L/ J# E: I5 L* ]$ P测自举升压二极管发现上电时给U64 反相器的1、2脚EC_PWM为高电平那4脚输出自然是低电位自然C710、c715不会有充放电。
0 k9 w9 y. c, B  H- m+ uEC_PWM是+5V_ALW2经R626下拉形成EC_PWM的在待机状态下。那开机瞬间EC晶振产生起振EC的117脚会发出EC_32信号使场管Q68导通拉没EC_PWM，这样反向器4脚会输出4.几V形成C710、c715充放电的电源就会形成自举升压。直接测EC晶振发现晶振无法起振晶振坏，换之。
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开机上电电流跳变正常亮机改散热上电结果不小心散热片下垫的铜片划了出来，掉到内存下方的位置，在开机屏无信号不亮电流经一次跳变定格在0.8几安左右。赶紧上示波器查CPU有无寻址，发现CPU没有通过LPC总线寻址而是通过SPI总线寻址，不管他直接查BIOS第5脚，上电瞬间几个脉冲闪过后平直，内心大定还好CPU寻址。直接换内存。原机带的是三星1G DDR2 667内存换成我手里内存试结果一样。在查内存地址线（内存上的排阻后的测试点）有连续不间断的方波，可以肯定是没过内存。
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9 s( `( |) n5 S5 S+ z9 n# f" T0.9V提拉电压的排阻出问题或影响北桥内存控制器呢？上假负载查所有数据，地址总线对地电阻都是正常的证明内存跟内存控制器之间通讯无问题。又找了一条KINGSTONE 2G 800Mhz 双面16片颗粒是最新的制成。开机终于亮机进系统测试通过准备装机。结果发现上适配器开机到DELL LOGO读条时死机，用电流表加DELL头就一切正常。再查PSID,上电时短闪几下脉冲，到充电板的MAX8731AETI输出的MAX8731_IINP为反向端低电平EC发出的ADAPT_TRIP_SEL为同向端高电平经LM393比对输出高电平形成导通Q1使ADAPT_OC被拉低.....正常啊。在上DELL电源口进系统发现其CPU一直处于降频状态原机U是T7250 2.0G 800MHZ FSB 现降到1.04G（处于电池模式）用LINXs让cpu满载频率也提不上来。查 FSA、B、C确定U工作在800FSB下。换成T5870 2.0G 800FSB 2ML2 上适配器能进系统不死机，但U在系统下主频仍然是1.04G ，电池模式。内存怎么解决呢？查INTEL 965 DATASHEET
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' [- H+ m$ u6 n4 Z0 R8 j& B 支持四个BANKs的所有DDR2设备高达512Mbit密度。 1-Gbit的DDR2设备支持八个BANKs。
可最大支持8 GB内存
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" k+ N$ f4 p6 U' J+ v0 P
3 N1 J- p+ o* M: y# P* B
支持1G 8片封装  每片颗粒128M  1K列 8 BANKS 16K 行
             16片封装  每片64M  1K列  8 BANKS  8K 行
   不支持1G 800MHz 的内存。
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换上1G 16片封装的667内存试一样不过。找到一根PC-4300 (533MHz）的双面16片内存终于过了，亮机进系统无问题。。。
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BIOS 以在此前以刷成A15版，怕板子变形所以没敢碰北桥到此算应付过去，但根本原因还待查验啊

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好长啊，辛苦了

厉害啊，学习了

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绝对的高手

不太明白。，，，，，，，，，，

精神可嘉  以资鼓励！！

好离恨啊 ？学习了

这水平  啧啧  啧啧  |||

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水平很高！

辛苦了，楼主

厉害。。。学习了。。。

您写的很精辟 很实用 很有维修思路。