笔记本三极管与场管 望分析

１．我在笔记本主板内存ＰＷＭ电路中，测量ＭＯＳ管导通条件　万用表测量Ｄ为１９Ｖ　　Ｓ为１．５Ｖ　Ｇ１．８Ｖ　　。还有的电路Ｎ沟道Ｇ３．３　　　　Ｄ与Ｓ是１９Ｖ。　　　　　　　还有Ｇ　Ｓ为１９Ｖ　Ｄ为０．４Ｖ　　。怎么回事啊　，不是说Ｎ沟道只要Ｇ为高电平就导通吗　？？　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，三极管导通原理我也理解，但是测量两边电压又有些不理解了？　　　　　　　　　　　　　　望前辈们赐教啊。。。　　　　　　　　　　　　　
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高电平是相对的，N沟道高电平导通是指G极高于S极4.5V左右完全导通，如果G极和S极同为19V，电平相差0V，不符合高0.7V的条件，就是截止状态，所以D极是0.4V就不奇怪了

楼上说的对  高电平并不是就是3.3V   而是G机相对于S来说  就拿P沟道的管。只要G小于S4.5V就可以完全导通。

N沟道和P沟道场馆，是怎么分别的啊。新手

you5841314521 发表于 2014-3-23 21:08
7 g! h2 l+ m1 L5 R6 O  b7 bN沟道和P沟道场馆，是怎么分别的啊。新手

具体结果所在的电路来分析判断，一般像主板CPU供电电路所用的都是N沟道场馆多。

哦，3Q    还是要多量量啊，才知道
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经典之作，太给力了！