内存技术术语不完全手册

Access Time
　Access Time（存取时间），RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。

Address
　Address（地址），就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据

Async SRAM
　Async SRAM（异步静态内存），一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。

Bandwidth
　Bandwidth （带宽） 1、传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位 / 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。 2、内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到 64位

Bank
　Bank （内存库） 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row） 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。 3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。


Bank Schema
　Bank Schema（存储体规划），一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。

BEDO
　BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器，BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。

bga封装技术
　BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。

BLP
　BLP－底部引出塑封技术，新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。

Buffer
　Buffer－缓冲区，一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。

Buffered Memory
　Buffered Memory，带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

CAS
　CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲，在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。

CAS Latency
　列地址选通脉冲时间延迟，CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

CF卡
一种袖珍闪存卡，（compact flash card）。像pc卡那样插入数码相机，它可用适配器，（又称转接卡），使之适应标准的pc卡阅读器或其他的pc卡设备。

cf存储卡的部分结构采用强化玻璃及金属外壳，cf存储卡采用standard ata/ide接口界面，配备有专门的pcm-cia适配器（转接卡），笔记本电脑的用户可直接在pcmcia插槽上使用，使数据很容易在数码相机与电脑之间传递。

Checksum
　Checksum－检验和，校验和。在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。

Compact Flash
　Compact Flash（紧凑式闪存），一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。

C-RIMM
　Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组，一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。

CSP
　Chip-Scale Package（芯片级封装），薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。

CSRAM
　同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。

DDP电路
　DDP(Double Detect and Protect:二重探测与保护)，它可以使Space对输入的信号不再重复处理，同时对声音的频率和方向进行探测,而且自动调整,得到最佳的效果。

DDR
　DDR（Dual Data Rate SDRSM）是最新的内存标准之一，在系统时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，因此即使在133MHz的总线频率下，带宽也能达到约2.1GB/S，为SDRAM的的两倍左右。

DDR SDRAM
　DDR 是双倍数据速率（Double Data Rate）。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系，事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率。 DDR只是对SDRAM技术做了一些加强，所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此采用了2.5伏的SSTL2标准，其管脚数为184线，与SDRAM在主板上无法实现兼容。 DDR SDRAM有着先天性的优势，因此，取代SDRAM只是时间上的问题，相信随着DDR内存体系的愈加成熟，与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大，那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。

DDR内存
　DDR （Dual date rate） SDRAM 称为"双倍速率SDRAM"，在133MHz的前端总线频率下，带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输（而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输），因此在一次控制信号过程中，DDR SDRAM能进行两次的数据交换，这也就是它为什么又如此高的带宽。

DIMM
　Dual -Inline-Menory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。

DIMM
　DIMM （Dual In-line Memory Modules），双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84 针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。

DIP
　DIP （Dual In-line Package）-双列直插式封装，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。

Direct Rambus
　Direct Rambus－直接总线式随机存储器，Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz。

Direct RDRAM
　Direct RDRAM（直接总线式动态随机存储器），该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。

DMA
　它的意思是直接存储器存取，是一种快速传送数据的机制，DMA技术的重要性在于，利用它进行数据存取时不需要CPU进行干预，可提高系统执行应用程序的效率。利用DMA传送数据的另一个好处是，数据直接在源地址和目的地址之间传送，不需要是中间媒介。

DRAM
　动态内存。该内存中的内容在系统掉电时会完全丢失。DRAM中主要包含路由表，ARP缓存，fast-switch缓存，数据包缓存等。DRAM中也包含有正在执行的路由器配置文件。

DRAM
　DRAM （Dynamic RAM），动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次，但是由于它采用同一电路来存取数据，所以存取时间有一定的间隔，导致了它的存取速度不是很快。在386、486时期被普遍应用。

ECC
　ECC （Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码。ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。ECC另有一种解释是Error Checking

ECC内存
　全称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需1位用于Parity检验，5位用于ECC，这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些Parity只能检测到错误的地方，ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。

EDO DRAM
　EDO DRAM（Extended Data Output RAM），扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。

EDORAM
　扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔，来提高存取速率的。通常，在一个DRAM阵列中读取一个单元时，首先充电选择一行然后再充电选择一列，这些充电线路在稳定之前会有一定的延时，制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的（一般是这样），在当前的读写周期中启动下一个读写周期，从而可将RAM速度提高约30%。但是，EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况，是97 年最为流行的内存。

EEPROM
　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug

ESDRAM
　ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存，Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了SRAM（静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。

FLASH内存
　FLASH是一种可擦写、可编程的ROM，FLASH包含IOS及微代码。可以把它想象和PC机的硬盘功能一样，但其速度快得多。可以通过写入新版本和OS对路由器进行软件升级。FLASH中的程序，在系统掉电时不会丢失。

FPM DRAM
　FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速页面模式内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。它的读取周期是从 DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置，即包含所需要的数据。第一条信息必须被证实有效后存至系统，才能为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为CPU必须傻傻的等待内存完成一个周期。随着性能/价格比更高的EDO DRAM的出现和应用，它只好退出市场。

Interleaving
　Interleaving（交叉存取技术），加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。

JEDEC
　JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

MCH
　Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心，Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。

MDRAM
　MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存，MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些 BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。

Micro BGA
　Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装，Tessera, Inc.公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。

Non-Composite
　苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对高。

PC100
　JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒（或内存条）技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。当初，PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则，其规范条款很多，但主要有以下几点： 1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns; 2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取时间小于6ns； 3、PCB必须为六层板，可以滤掉杂波； 4、内存上必须有SPD，SPD一般由内存模组制造商写入，设定内存工作参数。

PC133
　IBM 和Reliance电子公司制定的一种内存芯片（或内存条）技术标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。严格地说，PC133和 PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。

Pin
　Pin－针状引脚，内存金手指上的金属接触点。

PLB
　PLB （Pipeline Burst Cache）－脉冲突发式缓存，PLB能使第一个脉冲到达处理器之前，四个数据一个接一个的连续传输中有顺序地读写。PLB常用于SRAM，制造计算机的一级和二级缓存。它分为同步与异步两种工作方式。

PROM
　PROM （Programmable Read-Only Memory）－可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM，是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废。

RAM
　RAM (Random-Access Memory)－随机存取存储器，一种存储单元结构，用于保存CPU处理的数据信息。"随机"（Random）存取是与"顺序（serial）"存取相对而言的，意思是CPU可以从RAM中任意地址中直接读取所需的数据，而不必从头至尾一一查找。

Rambus DRAM
　Rambus DRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向，其技术引入了RISC（精简指令集），依靠高时钟频率（目前有300MHz、350MHz和 400MHz三种规格）来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit（由两条8bit的数据通道组成），远低于SDRAM的 64bit，由于Rambus DRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构，同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输，因此在300MHz下的数据传输量可以达到300MHz× 16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz时可达到1.6GB/s，目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，确实很有吸引力。 Rambus DRAM的认证机制也较为严格，其认证测试包括DirectRDRAM元件、RIMM模块、RIMM连接器和DirectRDRAM时钟发生器。以确保与 Intel的系统保持百分百的兼容。

RAS
　RAS （Row Address Strobe）－行地址选通脉冲，在DRAM数据位中，用列地址和行地址的交叉点定位每个单元的存储地址。行地址的选通由RAS控制。

Registered Memory
　Registered Memory－带寄存器的内存，带有寄存器（register）SDRAM内存条。寄存器可以的作用是：再次推动数据信号通过内存芯片，使内存条上能够焊接更多的芯片。带寄存器（Registered）的内存和不带缓存（unbuffered）的内存不能混用。能否使用带寄存器的内存是由电脑的内存控制器决定的。

ROM
　ROM （Read Only Memory）－只读存储器，掉电后数据不丢失的一种存储器，主要用来存放"固件"（Firmware）。主板、显卡、网卡上的BIOS就是一种ROM，因为他们程序和数据的变动概率都很低。

SDRAM
　Synchronous DRAM同步动态内存。它与系统总线同步工作，避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间，可加快数据的传输速度。这是98年流行的一种同步动态内存。它提高读写速率的的基本原理是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使得RAM和CPU能够共享一个钟周期，以相同的速度同步工作，从而解决了CPU和RAM之间的速度不匹配问题。

SDRAM
　自从Pentium时代以来，SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式，因此，基本上消除了等待时间，提高了系统整体性能。大家都知道CPU的核心频率＝系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下，最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能，芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz（PC66）、100MHz （PC100）和133MHz（PC133）三种标准规格，另外CL值也是衡量内存的一个很重要的标准。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存。

SIMM
　Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽，它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上，然后通过SIMM插槽与主板相连。 SIMM
　Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽，它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上，然后通过SIMM插槽与主板相连。SIMM（Single In-line Memory Modules），单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前，多采用30针的SIMM接口，而在Pentuim 中更多的是72针的SIMM接口，或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。

Sync SRAM
　Sync SRAM－同步静态随机存储器，其工作时钟与系统同步，Intel推出的430LX，430NX，430FX等支持奔腾的主板芯片组都支持它。但CPU速度大大提升后，该高速缓存被PB-SRAM取代。

Tag RAM
　在主板的Cache附近的一个用来存储高速缓存数据索引地址（Index Address）的RAM，其主要功能是辅助Cache、CPU、芯片组的沟通与存取寻址数据。

Tiny BGA
　Tiny BGA（小型球栅阵列封装），Kingmax公司的一项专利技术，属于BGA内存封装技术的一个分支。其芯片面积与封装面积之比约为1：1.4。

TOSP II
　TOSP II（薄型小尺寸封装II），SDRAM内存最为常见的封装形式。但是，随着内存的速度和频率的不断提高，这种封装形式越来越不能满足需要。

TSOP
　TSOP（Thin Small Out-Line Package）－薄型小尺寸封装，TSOP也是DRAM的一种封装形式，但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。

Unbuffered Memory
　Unbuffered Memory（不带缓存的内存），PCB上不带缓存（buffer）或寄存器（register）的内存条。 但是，使用这种内存的电脑主板上要带缓存或寄存器。

串行存在探测
　即，SPD（Serial Presence Detect）它是1个8针的SOIC封装(3mm*4mm)256字节的EEPROM (ElectricallyErasableProgrammableROM电可擦写可编程只读存储器)芯片。型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，如果没有 SPD，就容易出现死机或致命错误的现象。它是识别PC100内存的一个重要标志。现在个别厂商一方面为了降低生产成本，另一方面又要从表面上迎合 PC100标准，就在PCB板上焊上一片空的SPD。这样就有可能导致在100MHz以上外频不能正常工作，还应该注意的是一些厂商出的主板(如 INTEL原装板)一定要BIOS检测到SPD中的数据才能正常工作，而对于使用假SPD的内存来说，就会有不兼容或死机的现象出现。

串行存在侦测
　串行存在侦测-SPD(Serial Presence Detect)，SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电子可擦写程序式只读内存）, 容量为256字节~2KB，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。

磁盘阵列
　磁盘阵列（Disk Array）是由一个硬盘控制器来控制多个硬盘的相互连接，使多个硬盘的读写同步，减少错误，增加效率和可靠度的技术。

带宽
　每个时间单位可以传输或处理的数据量。 简单地说，带宽就象管道大小 - 管道越大，可以传输得越多。

读写时序
　内存在突发式（Burst）读取模式下一次可连续读取4组数据，其读取周期可以表示为X-Y-Y-Y。其中X表示读取第一组数据的时钟周期数，一般叫做Lead off time（通常时间比较长）；Y表示后三组数据的读写时间周期。

服务器内存
　服务器是企业信息系统的核心，因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务，内存错误可能造成服务器宕机并使数据永久丢失。服务器内存大多都带有Buffer（缓存器），Register（寄存器），ECC（错误纠正代码），具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性。

静态列
　DRAM加快数据输出的一种模式。当访问静态列（static-column）的数据时，DRAM不断地激活列输出缓冲区，以此来加速输出。但其缺点是当地址不连续时就会很慢，而且耗电量也比 FPM模式要高。

内存总线速度
　内存总线速度或者叫系统总路线速度，一般等同于CPU的外频。内存总线的速度对整个系统性能来说很重要，由于内存速度的发展滞后于CPU的发展速度，为了缓解内存带来的瓶颈，所以出现了二级缓存，来协调两者之间的差异，而内存总线速度就是指CPU与二级(L2)高速缓存和内存之间的工作频率。

偶校验
　Even Parity－偶校验，一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。

奇校验
　Odd Parity（奇校验），校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。

闪存
　闪存是采用一种新型的EEPROM内存（电可擦可写可编程只读内存），具有内存可擦可写可编程的优点，还具有写入的数据在断电后不会丢失的优点。所有被广泛应用用于数码相机，MP3，及移动存储设备。

随机访问内存
　随机访问内存（RAM）相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。在任何时候都可以读写，RAM通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时存储介质（可称作系统内存）。不过，当电源关闭时时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将RAM称作"可变存储器"。RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。

信用卡内存
　Credit Card Memory（信用卡内存），主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个信用卡，因此而得名。

虚拟信道内存
　NEC 公司开发的一种改良的DRAM内存，数据传输率为133MHz。其原理是在现在的DRAM IC 中加入一个虚拟的SRAM作为Cache，以此来维护数据存取的稳定性。 VCM 使内存的不同区块（每块都有自己的缓存）能够分别和控制器对话。如此一来，系统的任务可以分配到它们各自的虚拟信道里面。同时运行的多个任务互相之间不会争用缓存，所以系统的整体效率就提高了。

只读内存
　只读内存（ROM）相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据的。ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，ROM也能够保留数据。

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谢谢了真不错

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