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请问什么是 MOS管 ?

rayray1228 发表于 2007-9-7 18:20:31 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 中国香港

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请问什么是 MOS管 ?& V) A1 _% D+ o+ v( T" A' e2 ~
有什么型号或机种可以说一下吗?
! ]9 I. x+ D5 u+ T! [谢谢
nmgheyong 发表于 2007-9-7 19:29:34 | 显示全部楼层 来自 中国北京
这个很多呢,具体型号,我明天去了在给你往上发哇!
kbp 发表于 2007-9-8 03:59:00 | 显示全部楼层 来自 中国北京
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数0 s2 K# Z% G( x" J# l& D
场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)。 1.1
5 w" ~5 T7 V/ }$ P5 w% V- k1.1.1
: e) ?% |+ L9 [# w' X4 o" w( IMOS场效应管
- C0 F1 @6 T) A7 j  T: j  QMOS场效应管有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:
3 {+ x2 [- V" K+ A: u% J8 i% X, X1 \, OD(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极;7 |' r+ V0 R5 R( v6 y5 z% J4 M% z
G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极;# T- _6 x* Q& f) h; g
S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。
4 ^- ~9 j0 W$ p1 C: x+ z  [8 S2 Z8 I增强型MOS(EMOS)场效应管
* e+ _- ]. w3 W根据图3-1,N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极,一个是漏极D,一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底,用符号B表示。$ r! s1 b; H& o: U
图3-1 N 沟道增强型EMOS管结构示意
kbp 发表于 2007-9-8 04:00:52 | 显示全部楼层 来自 中国北京
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。耗尽型则是指,当VGS=0时即形成沟道,加上正确的VGS时,能使多数载流子流出沟道,因而“耗尽”了载流子,使管子转向截止。
) S  E' \- z' _, [2 k  N
; \, Y. x4 r3 t0 l以N沟道为例,它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+,再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通,二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是从外向电,表示从P型材料(衬底)指身N型沟道。当漏接电源正极,源极接电源负极并使VGS=0时,沟道电流(即漏极电流)ID=0。随着VGS逐渐升高,受栅极正电压的吸引,在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子,形成从漏极到源极的N型沟道,当VGS大于管子的开启电压VTN(一般约为+2V)时,N沟道管开始导通,形成漏极电流ID。 2 Q# G6 P$ s/ k: j
7 E0 P3 X; \4 {  a2 P8 B7 S
国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管)。它们的管脚排列(底视图)见图2。
( u/ Q* P" r7 b9 v/ O
7 ?0 a7 e  z' H! o: AMOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起,或装在金属箔内,使G极与S极呈等电位,防止积累静电荷。管子不用时,全部引线也应短接。在测量时应格外小心,并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。
* l) M, a9 q2 n+ l' b4 g0 }, E3 ]* R9 L0 d2 u' ]5 ~+ F
1.准备工作 0 k- ~; H& i$ ?: k& _: y5 I' ?
) z0 \) T8 ~6 \. D7 W
测量之前,先把人体对地短路后,才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通,使人体与大地保持等电位。再把管脚分开,然后拆掉导线。
6 B, q7 `% `! ?4 q" u; f6 m6 x3 o( W3 C' ]
2.判定电极 % Q" y* E! w" }" K' _) g
; h$ T, z# N! N3 H! ], d
将万用表拨于R×100档,首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大,证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量,S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧,其中阻值较小的那一次,黑表笔接的为D极,红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品,S极与管壳接通,据此很容易确定S极。 1 f, p$ X2 d% [! h" U$ R$ O

& l$ Y$ M/ E2 T9 a- E- U3.检查放大能力(跨导) 5 F' p4 k: b+ J7 V! A) C  n4 E7 s

9 M# z' s% }0 {+ J( D! L将G极悬空,黑表笔接D极,红表笔接S极,然后用手指触摸G极,表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之,可用手分别触摸G1、G2极,其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
( c2 m; N6 n- w( Y
5 K+ ~& B3 e1 l& U) a9 v6 B1 l1 Z, C目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管,平时就不需要把各管脚短路了。
, p* `1 K( _. b! d2 [* E; h$ K" i+ z( B& K
4 q# I( L! i6 T* ?( E  _! x' G
http://www.dz863.com/Power-Management-design/Power-electronics/MOS-MOSFET.htm
yyj 发表于 2007-9-8 07:43:24 | 显示全部楼层 来自 中国湖南邵阳
lxq1202 发表于 2007-9-8 17:26:01 | 显示全部楼层 来自 中国江苏苏州
很详细,学习
头像被屏蔽
badliv 发表于 2007-9-10 01:20:56 | 显示全部楼层 来自 中国河南郑州
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
netfwq1 发表于 2007-9-10 10:23:31 | 显示全部楼层 来自 中国安徽合肥
什么东西呀
fanchunjia 发表于 2007-9-10 11:01:48 | 显示全部楼层 来自 中国浙江温州
很简单的就是 小的6脚场管  在IBM  T40 接屏线的下面就用两个  4个相连的脚  两个单独脚  有控制和输出
fanchunjia 发表于 2007-9-10 11:03:26 | 显示全部楼层 来自 中国浙江温州
55AL
dxy777 发表于 2007-9-10 19:30:46 | 显示全部楼层 来自 中国湖北武汉
说那么多都没有什么实际用途3 }9 o  C# G5 @
知道怎么测就行了
, h) E+ W; [8 b3 N( g这样告诉初学者,越看越糊涂
zhushaoxiang 发表于 2008-12-12 11:23:37 | 显示全部楼层 来自 中国安徽宣城
:lol
4 k" N7 P3 u5 C6 x
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