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Samsung内存 Q" l& |! ]4 o$ V' f( j9 x
. v- {1 @- Q: E$ {! _6 l1 I7 w
具体含义解释： 9 x$ [$ R( F$ `; T# b
4 [- L4 E( I+ p. |6 D
例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 * H! N T0 G% z" r' ?2 {0 r
8 d( e$ S9 e' X主要含义： 9 q8 F4 M, H/ q* H
+ Q! S4 V; G3 x2 b5 X4 V第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 0 u" @- U3 r4 P. A9 }
$ t6 m# |/ k8 V; e# U
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
" Y2 i3 b5 V$ |
/ }, B4 c6 d' p2 m# Z7 I7 P第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 ! l) X7 Y5 ~3 G
2 [: S( v- a5 J" r) M# e' _
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 1 v& Y7 D- Z6 @; B# X" J
M" {/ H5 u/ ~1 }+ A. Y9 b8 B0 E8 v X第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
% N/ X2 G* y" r% C8 m) p# _( N+ f+ A; p
第11位——连线“-”。
" x: E4 C" j+ n8 \: M }
/ j1 |; a1 Z7 R4 o* P5 I) Y, K( ?第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。
' M7 a# |7 r8 y* K5 @
8 O* r2 v* l+ y# b1 B0 R9 T2 `知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。 \( E+ E! c8 ^* S2 o J$ Y9 w
; A8 J* v6 {: h- e注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 7 V7 `: A Q( u& ^+ [0 T% V
+ p' {2 r5 b2 G0 a0 K. A# N
8 A8 n) |1 y6 D0 yHynix(Hyundai)现代
$ t) M9 e! J- J# V
8 Z$ i( X$ ~* F- h% n9 C% a# g7 Z ^
6 P1 {7 q0 D+ G8 {- \, _7 J·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)
3 w! B- Y6 X3 n- M
3 e: {2 y0 a8 T5 e·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)
- o$ e% w- ~! |; x# Q% t w- e" G7 N y9 {6 a7 h1 C
·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
9 V7 {, x& k9 ^4 J! ^, B* S1 n1 |
& K/ s. c+ v6 ~2 V9 D: C* c* ^·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)
5 P# B' Y8 S+ A8 S7 ?6 ^; J( A# V" t8 z8 N ~8 T
·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 0 }6 b' g7 {+ ~6 Q
/ x6 f* [) L9 ?! R, o7 d5 O; @
·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=Fbga；FC=FBGA)
, \) `- n. H* d$ f
. n1 }$ L# a/ u6 r; q) S2 Z' M·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 2 A [4 @* X5 \0 O c+ e) i
& {* q* J$ X" V
·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ; ` E3 S2 W$ K2 c `$ D$ g
9 B4 H: v# d! ~, s& Q8 c·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) , G/ A- n1 Y G- }. T: D
. c: P8 v6 _ q3 p: O; p' C
·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)
1 ? d2 P# n1 _4 b+ x% I* c2 v- P7 X2 R [
, O9 J$ x- I+ Q5 w现代内存的含义： # x. l1 h% c e7 W o9 x2 }
0 N8 `. t- }) l5 G% Y$ RHY5DV641622AT-36
$ X) T! y- K. W* Y. m/ d/ n
* d3 {6 E8 w/ V" O5 x) i/ }HYXXXXXXXXXXXXXXXX
5 d$ W& j7 W* P5 @
* C( ]) X! c8 m' ?123456789101112 ' R& v3 R$ \) M6 O/ o* z/ N* N; Y
+ o4 b3 e: J3 x$ B! ~
1、HY代表是现代的产品 4 r: k' p5 E0 d( Y
' g6 G4 z7 O# i; }" \. a
2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； - _. A# h v( [ e4 k1 h# Z; F8 u
- f$ T0 K: } y4 b& `9 F3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
! z+ k5 A- [* o3 e: {4 n w& d
! z: i3 ], o* z S3 H$ t; n; v4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
! s9 z3 P+ e, ]( Y9 g r. N9 w& g! s! |2 R- B5 X
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
* d$ w2 G: t# f) i7 E9 A1 F) Z/ [" G3 w
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系
$ G8 K Q3 y' E
1 H( f) i+ u6 |) a7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 " k6 H6 }" U: Z+ T8 ?1 {+ f& J
7 E% n9 ]2 ]5 I& M
8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 8 C$ } a1 p7 I! v: a6 B/ W
; ~& k7 f4 D, _+ Q6 Y- q; K
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片
p" ]- B# t3 }. ]% P; x! O/ R" o1 [0 ^$ z8 H/ P
10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ 1 a- i* P# W9 O& X r; d3 g: o
2 R" i/ q$ K0 w) ?1 A+ ^/ L9 N7 s11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L DR200、HDR266B、 KDR266A - T5 Z4 a6 y; a+ K9 ]+ }- U% i7 a
7 {( _- ~' q' }7 [, u
现代的mBGA封装的颗粒 & {* B% J' J3 }' y
2 _# H. Y4 z$ h `7 ~
: k; X- D3 T% p
) v% }+ [* r5 a1 U$ dInfineon（英飞凌） : A& |+ o" y9 _* w( T! X6 d
& G6 b( F" k' s- }
Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 $ G1 U) B i5 e* H/ j2 o
# M' H% q5 u8 f$ J
HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 * [, c. S6 w2 V! w2 r
& F3 J9 d& [& m: {& M0 }& ~Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
7 g; o4 x+ r- k( O1 n" j0 Y) r# ]" w3 O/ L
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
+ c9 @( z, a3 a# C. A
" A: z# r; m9 c \* \-8——表示该内存的工作频率是100MHz。 # C0 h& l6 `3 }
9 b8 w3 C) W. k" ]% ]4 O% e/ ~- E例如：
0 |& ?3 u5 W* B& L; G5 k6 `. L4 J: y2 l- {9 f* C& L. ^& L- f
1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
( ~+ G" ~% c9 k" w6 E! h1 Z3 Y/ y& [- q, V3 A* K* y4 w0 s2 m
1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。
! p/ v/ l# ^8 s+ }4 \
* B# G X2 K o$ c5 H; V6 L; l4 D/ T4 O' P: ~9 J
- U1 K) V+ L( Q! H
2 i" t3 _; S* x( [1 z3 f7 L% h* k: f3 [& D+ e4 F- b2 l3 P& K% M
KINGMAX、kti
9 F. r( o. A7 n, Z% c/ f2 u4 f9 u7 b' k2 X p$ k) ?% r$ O
KINGMAX内存的说明 + s3 b$ q- Q: Y% e+ A- b
% X% s0 t8 h7 E' j( E+ u/ O# M5 @Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 + w @- ?, x; y, M, z1 g+ ]- c
0 J3 a# m; q1 v* z容量备注： ' \( F0 n- w2 C8 c; j
6 z3 _5 B; g B- dKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度； , O8 G% p( z2 s4 ^
D; W' E% w3 w; _
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；
, N* N6 n' u6 h; `* E( _) k) [" C/ I. b; q4 }8 s
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；
3 W2 `4 a4 p5 M% \& t* E
* i/ X$ ^( i. Q# w8 qKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度； + n+ c( u9 X7 z. `9 c! k! m
+ @# S: l. l% k" Q2 FKSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。 8 q# H- k6 }+ F E; [: Y
/ O8 Y x/ m9 B8 G+ I
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： 3 n. l' R9 w3 ]' {4 _; H* g$ v7 q' Y0 K
+ N2 @+ K7 }# U/ |( Z
-7A——PC133/CL=2；
, B0 D% M+ e9 D; L( u, G: g2 \. i4 F& \
-7——PC133/CL=3； + l2 }* d% X$ z P! |: P
; h0 E; A1 _1 ~. Q8 u0 f V
-8A——PC100/CL=2； 3 i/ W' H0 d. v
1 p$ ^: X6 h. a8 `
-8——PC100/CL=3。 " B( ?8 Y" {8 ]
/ t4 [' N0 [6 w, a例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
5 p6 C0 E/ I$ m9 @5 F) m3 ]$ v$ ~8 E6 F: J) L
: m: T# b) e5 A: l* n. f$ v! J7 f
1 t) Q$ j) F4 r& ]% ?6 A, o2 ?; L
8 w/ [" x/ x! F5 F
Micron（美光）
5 m( y1 T6 K9 [+ |, C/ R) m) K3 i+ D/ ?" ~4 Y; D! G& k+ W! Y0 w
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
) z7 }' j" D+ g7 N4 E6 m! q: E. E
含义： * `2 _ M- ?0 `' A) l
, M0 h! W# B- @! K
MT——Micron的厂商名称。
4 I# ~# c4 R8 h# ]+ b7 |9 D1 l' _9 w5 ?3 r$ h9 V o, E7 O
48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。
: B! m& q# g+ d+ ~
' S; u5 n1 C% CLC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。
7 H8 {& j5 W7 k$ `; x/ V7 ] X- q- i( q' {0 `- k
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
" K1 v( g9 W" m1 E$ T7 I1 u9 l, I+ X& W6 V, a
A2——内存内核版本号。 9 ~: @ ?3 ^( ~/ u9 b8 x3 P6 X4 V
( r5 G/ k* b! C: S' @* }% x
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
) A* J ?( e6 k4 \; z `0 q. p/ c6 q: H* A: L3 c7 e5 o
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
* G* B6 D: q" P! p4 A% |& @; \$ m1 B* u2 t5 D4 C6 E
实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
$ l5 c4 q* l4 y7 ]0 d% L0 k3 d3 L8 E* h/ x
其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。
; k+ F& I1 D! K; K6 b7 z, T+ i% }5 u4 D2 M6 r: R+ G/ `
4 M6 A/ V5 y9 ^9 D- r8 L
6 G% Q/ F4 G3 V- _" q& z
}1 Z7 t2 c0 M: ]7 K1 W; t, S5 q( F! _$ ]9 o0 a+ B
Winbond（华邦） 9 \. p: C$ H2 J; I& F' T7 V
# A6 j, l: B" d
含义说明：
7 N, P* y3 ?3 `% ]0 K: \6 ]6 N" E( f* ]' k& U
WXXXXXXXX 9 O5 r! F5 U/ f: c& T
. d, y8 c) ?" D% U* z
12345
3 b4 b& v1 W) a4 |/ l% r
' ^2 R) F, [6 x4 H1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 # r5 _0 K# T/ j
; L e4 |1 N& B2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM
$ v3 Y! I6 U- \1 k4 r
4 U5 G: h6 Q7 L3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
+ A0 T$ T- V) R f: p) h
" R& m! Y/ N" D4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 - ?5 V: X) Y0 |4 W$ x
) w9 h) Q2 [) X8 k4 p9 P5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ
7 q1 w' k. g# }4 R2 j" y; K$ H+ s3 U6 @- M6 L% O8 Y
c& k( v, n7 q/ `
5 K( S* P4 `& L) d' b' _- l
4 ?. i4 \( b, j u' b. s, g' R: o1 n/ q. b5 s4 z
7 W5 l+ y: K' ?6 ~+ KMosel（台湾茂矽）
6 |+ q0 t$ ]$ d; y7 n y C' V8 t" I$ w2 O3 P
9 H* p% |7 @2 u2 F6 a
, F( Z* I/ S; K3 Q3 U: L
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
2 J" {+ |7 O9 j! o3 F6 Y
: o& e/ n5 R- z4 T8 `/ r/ U$ o- ~; z6 g4 E/ P: j: u
( n+ A# f6 `! @8 v
7 G! O, R/ B7 U4 ^& V
7 r: a/ \+ D2 eNANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
+ J: s, j9 W% y+ p* B6 k
6 A% ~+ ]( }; F( _
. w5 u0 O: {4 @
, i9 S* P& }1 {+ W2 u9 N/ U7 Y南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。 / _: A; c2 X) l( O6 N( l' N
# ?) m8 @; T3 M! J* v, W
: x8 a% x% Y7 w$ f4 o* q- I; T' A
! m, A! r& F4 }* G' g3 ?5 j' b( g: [! S) G a! ^
: D. _1 A! P; E+ Y' [
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD # O8 X+ n! C6 Q C- ~5 q [4 t
# k2 t" X& \+ j L$ H0 a) Z
M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂） ( e* P8 ?! I- \% R j% v) @) x I
# O L+ t8 u8 i' {: {/ K) ?* `' E$ H
9 o9 R" A3 v e
' m6 m1 P7 ^# ^& e9 ~! \4 L0 o a5 R, N8 I* S8 c- R
" `3 w) B" J- p$ J
3 W& d/ z5 P1 `7 I# d
( o; l. b2 [# ?- `7 ]
: u) `0 j, @* y+ n8 V
" V9 [& W$ m- h
/ A0 ]' J8 J4 \4 c$ R/ LV-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT
7 h9 G: \& I: P6 }. D1 y1 l- `; x7 W$ g1 p g2 e
8 p" d' E9 ?( F) n$ h% ]; A* w
; a* h! W) E* |/ T; v
/ Z) {# @' {# q9 E& g
9 {# Z7 g6 ~! F, z
) Q! q g! H. B* p, y8 F
. g; |% J2 [4 v0 f内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周 6 _- S: _% h6 S- m6 X' l D
2 E* ~' y6 l! y! i5 ]' ^; Y
; [" m. Y% E* m5 }7 ~
: r, f9 E! T1 e, F p9 QA－DATA
+ c! d, B2 N" V4 ^# N% q: U! k. r* Y- ?% L0 U
这是A－DATA的DDR500 |
IP卡
狗仔卡
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
显身卡
